化合物半导体?结晶材料
滨苍笔基板
高品質と安定性はお客様より高い評価と信頼を得ています。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の InPを製造しております。最近の需要と製品要求に応える製品を提供しております。
| 製品名 | 滨苍笔（インジウムリン）基板 |
|---|---|
| 主な一次用途 | 発光素子、受光素子、超高速电子素子、赤外线検出器等 |
ラインナップ
| Size | Orientation | Dopant | |
|---|---|---|---|
| 滨苍笔基板 | 2inch 3inch 4inch |
（100） | S, Sn, Zn, Fe, None |
用途例
基地局
データセンター
光通信モジュール
（受発光素子）
太阳光発电
滨苍笔の新しい用途へのご提案
高性能な衝突防止センサを実现可能
目に安全な波长でのレーザーレーダーを実现可能
滨苍笔基板の特徴
- 光通信用の受発光素子材料として必須である滨苍笔基板を長年提供しております。
高い加工精度
- デバイス品质向上のため、高い加工精度のウェハを提供しております。
※Total Thickness Variation
低転位欠陥密度
- 当社结晶の育成最适化により、大口径基板において低転位の欠陥密度を実现しております。
TOP
Avg. 37 cm-2
Max. 664 cm-2
Bottom
Avg. 15 cm-2
Max. 581 cm-2
4-inch S-doped InP 基板 EPD マップ
エピ成长后のモフォロジー
- 当社基板の面方位最适化により、エピ成长后の表面モフォロジーの良好化に寄与いたします。
| InGaAs | 0.05 μm |
|---|---|
| InP | 2.1 μm |
| InGaAs | 4.0 μm |
| InP | 2.0 μm |
| S-InP Sub. | |
加工后の基板欠け防止技术
- 当社基板端面の特殊加工により、デバイス製造プロセスにおける基板の割れ、欠けを低减する事が可能です。
従来型加工
新加工技术加工
电子顕微镜による断面観察イメージ
基板表面不纯物の低减
従来基板
改善后基板
お问い合わせ
ウェブから
※24时间受け付けております。